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送交者: 零醫師[♂进士☆♂] 于 2018-04-16 12:01 已读 66 次  

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回答: 中国科学家研制的这东西一旦量产将钱途无限 由 WEYC 于 2018-04-12 12:52

科技日报讯 (刘禹 记者王春)国际半导体电
荷存储技术中,“写入速度”与“非易失性”
两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学
微电子学院获悉,该校张卫、周鹏教授团队研
发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储
原型器件,开创了第三类存储技术,不仅可以
实现“内存级”的数据读写速度,还可以按需
定制存储器的数据存储周期。




据张卫介绍,目前半导体电荷存储技术主要有
两类,第一类是易失性存储,如计算机内存,
数据写入仅需几纳秒左右,但掉电后数据会立
即消失;第二类是非易失性存储,如U盘,数据
写入需要几微秒到几十微秒,但无需额外能量
可保存10年左右。




为了研发出两种性能可兼得的新型电荷存储技
术,该团队创新性地选择了多重二维半导体材
料,堆叠构成了半浮栅结构晶体管:二氧化钼
和二硒化钨像是一道随手可关的门,电子易进
难出,用于控制电荷输送;氮化硼作为绝缘
层,像是一面密不透风的墙,使得电子难以进
出;而二硫化铪作为存储层,用以保存数据。
周鹏说,只要调节“门”和“墙”的比例,就
可以实现对“写入速度”和“非易失性”的调
控。




此次研发的第三代电荷存储技术,写入速度比
目前U盘快1万倍,数据刷新时间是内存技术的
156倍,并且拥有卓越的调控性,可以实现按需
“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。这种全
新特性不仅可以极大降低高速内存的存储功
耗,同时还可以实现数据有效期截止后自然消
失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛
盾。





最重要的是,二维材料可以获得单层的具有完
美界面特性的原子级别晶体,这对集成电路器
件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发
新型存储器都有着巨大潜力,是降低存储器功
耗和提高集成度的崭新途径。基于二维半导体
的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础
上实现高密度集成,为未来的新型计算机奠定
基础。
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